整合通訊IC廠商IDT宣佈，採用IDT與Intel生產之先進記憶體緩衝器（AMB）的全緩衝雙列直插式記憶體模組（FB-DIMM）之間可以互通，技術邁向新的里程碑。有了這項互通之後，記憶體模組、伺服器與工作站的設計工程師可選擇FB-DIMM平台，而系統仍保持彈性，隨頻寬需求增加而升級。

IDT在舊金山Moscon Center West舉行的英特爾科技論壇（Intel Developer Forum）中，展示這項合作成果。

IDT與Intel的AMB產品是下一代高頻寬應用必要的建構元件，這些應用像是需要高效能及高記憶體容量的伺服器與工作站。通道上的記憶體控制器與模組之間，提供高速、序列、點對點的連接，是FB-DIMM通道架構的重要特性。每個FB-DIMM上的AMB晶片，會收集與散佈來自或傳到DIMM的資料，接著，將資料儲存在晶片內部，然後再接收或傳送到下一個DIMM或記憶體控制器中。這項通道結構，將能改善常見於暫存DIMM技術的緩衝延遲問題，讓設計者在單一系統內可應用大量的DIMM。IDT AMB產品目前開始提供樣品，預計2005年9月量產。