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力晶1Gb AG-AND Flash良率獲突破 邁入量產
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2005年01月03日 星期一

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據業界消息,記憶體大廠力晶12吋廠第四季在代工生產日本瑞薩科技(Renesas)的1Gb AG-AND Flash(快閃記憶體)產品上獲得重大突破,目前良率已經有所突破,投片量也達每月1000片左右,是台灣第一家量產1Gb NAND Flash的晶圓廠。該公司計畫2005年再將製程提升至90奈米,並生產4Gb產品。

力晶於2003年11月底宣佈投入NAND規格的Data Flash生產,以12吋廠0.13微米製程為瑞薩代工生產AG-AND Flash;AG-AND是瑞薩自行開發的Flash技術,快速寫入的特性比傳統NAND Flash快上2.5倍。然而,因Flash製程技術困難加上1Gb的狹窄驗證容許(process window)範圍,力晶在一年的奮鬥之後終於達到良率滿意水準,投片量也節節上升,2004年12月已達千片水準。

目前國內快閃記憶體供應商如旺宏、華邦等,均以NOR規格為主,在全球市場佔有率合計還不到一成,至於NAND規格快閃記憶體因不具研發能力,且受制國際大廠IP專利保護,一直沒有廠商涉入。力晶去年開始接受瑞薩技轉NAND晶片技術製程,如今已成功試產,所以算是國內第一家真正生產NAND晶片的半導體廠商。

關鍵字: 力晶  瑞薩  快閃記憶體 
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