帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
力晶1Gb AG-AND Flash良率獲突破 邁入量產
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2005年01月03日 星期一

瀏覽人次:【3323】

據業界消息,記憶體大廠力晶12吋廠第四季在代工生產日本瑞薩科技(Renesas)的1Gb AG-AND Flash(快閃記憶體)產品上獲得重大突破,目前良率已經有所突破,投片量也達每月1000片左右,是台灣第一家量產1Gb NAND Flash的晶圓廠。該公司計畫2005年再將製程提升至90奈米,並生產4Gb產品。

力晶於2003年11月底宣佈投入NAND規格的Data Flash生產,以12吋廠0.13微米製程為瑞薩代工生產AG-AND Flash;AG-AND是瑞薩自行開發的Flash技術,快速寫入的特性比傳統NAND Flash快上2.5倍。然而,因Flash製程技術困難加上1Gb的狹窄驗證容許(process window)範圍,力晶在一年的奮鬥之後終於達到良率滿意水準,投片量也節節上升,2004年12月已達千片水準。

目前國內快閃記憶體供應商如旺宏、華邦等,均以NOR規格為主,在全球市場佔有率合計還不到一成,至於NAND規格快閃記憶體因不具研發能力,且受制國際大廠IP專利保護,一直沒有廠商涉入。力晶去年開始接受瑞薩技轉NAND晶片技術製程,如今已成功試產,所以算是國內第一家真正生產NAND晶片的半導體廠商。

關鍵字: 力晶  瑞薩  快閃記憶體 
相關新聞
英業達與瑞薩合作開發車用連網閘道PoC 加速新一代汽車的開發
瑞薩選擇Altium強化整合全公司PCB開發 加快解決方案設計
瑞薩收購Reality AI滿一年 持續嵌入式人工智慧產品創新
Nidec和瑞薩合作開發下一代電動汽車電子橋半導體解決方案
瑞薩與AMD合作5G射頻和數位前端設計平台
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8B58KJKL2STACUK3
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw