工研院電子所與晶圓代工大廠台積電宣布簽訂「MRAM合作發展計畫」，雙方將延續過去三年在MRAM技術研發上的合作，進一步朝新一代的MRAM技術推進，以趕上IBM、摩托羅拉及三星電子等國際大廠的腳步。MRAM兼具DRAM、SRAM及Flash三類記憶體的優點，因而被半導體業界稱許為「夢幻記憶體」。，

MRAM被視為可逐步取代DRAM產品的新一代記憶體，利用高敏感度的磁電阻材料所製造、具備非揮發特性， 具有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗幅射線等多項優勢；此外，MRAM還可以與現有的CMOS製程整合，適合嵌入式的應用。ITRS（國際半導體技術藍圖）並於2002年底，將MRAM列為最有可能量產的下一代記憶體技術。

工研院電子所所長陳良基表示，電子所過去三年與台積電在MRAM的技術合作開發，有效地結合台積電前段製程技術及電子所的後段製程技術的優勢，除了開發出MRAM單位元及與CMOS製程整合之關鍵技術外，也將高密度與低功率的創新專利構想成功地實現在1 Kbit 的MRAM中，並在2004年12月於國際著名的IEDM技術研討會中發表其成果。

台積電研發資深副總蔣尚義則指出，台積電與工研院電子所再度簽約延續合作開發計畫，除了繼續各項元件功能改善與製程最佳化外，將結合其客戶需求，進行量產階段前的最後評估，並將進一步探討並克服未來元件尺寸微縮時可能遭遇到的技術障礙，預期此項合作將使台積電率先成為世界MRAM先進技術擁有者與量產者。