奈米電子和數位技術研究與創新機構imec，在Vision 2018展覽會上，推出了一款基於電荷耦合器件（CCD）-in-CMOS技術的高速紫外線感應與時間延遲積分（TDI）成像儀。TDI成像儀在近紫外（UV）區域具有70%以上的量子效率，使其可應用於工業機器視覺，尤其是作為半導體製造過程中的檢測工具。

新型成像儀採用imec的TDI CCD-in-CMOS技術製造，該技術將CCD TDI像素和CMOS讀數結合在一個技術裡。

新型成像儀採用imec的TDI CCD-in-CMOS技術製造，該技術將CCD TDI像素和CMOS讀數結合在一個技術裡。此種整合可以在單線掃描成像儀上實現低雜訊，高靈敏度的TDI性能，以及低功耗，在晶片上整合快速複雜的電路讀出。

透過採用imec的背面照明技術與專用抗反射塗層結合，取得紫外線的靈敏度。 通過背面照明，光從背面直接進入成像器，大幅提高了圖像傳感器的量子效率。靠著增加一個針對UV抗反射的塗層，在250-400nm的近UV區域中達到超過70％的高峰值量子效率。

而對小於可見光波長的高敏感度，使得成像儀能夠檢測非常小的特徵，這讓此技術特別適用於半導體檢測應用，例如光罩，晶圓和顆粒檢測。

TDI感測器是在200mm晶圓上製造，採imec CCD製程模組內置於130nm CMOS的製程流程中。這種高經濟效益的製造流程與其他晶圓級後處理技術兼容，例如光譜濾波器整合，可強化TDI性能。而其成果就是影像感測器具有高靈敏度和高速度（高達300kHz的線更新），且擁有低電耗。

imec影像感測器專案經理Maarten Rosmeulen表示，憑藉這款高速，低功耗的TDI成像儀，我們很高興能夠擴展具有UV感應功能的TDI CCD-in-CMOS影像感測器系列。我們現在可以提供在紫外和可見光範圍內具有高量子效率的TDI CCD-in-CMOS影像感測器，並實現豐富的高階應用，包括遠端感測，醫學成像和工業機器視覺。