意法半导体（ST）推出新系列功率晶体管，可最大限度降低马达控制电路的两大能耗来源，减轻家电、HVAC系统以及工业机器等日用设备对环境的影响。STGW30N120KD和STGW40N120KD是两款低导通损耗的绝缘栅双极晶体管（IGBT；Insulated Gate Bipolar Transistor），可降低开关损耗。

ST推出低损耗1200V IGBT产品系列 - STGW30N120KD和STGW40N120KD。

新推出的IGBT采用意法半导体PowerMESH制程，可节省能耗，并全面提升效率。更低的开关损耗可允许更高的作业频率，因而可在功率控制电路中使用尺寸更小、价格更低的组件。此外，新组件在紧密的工业标准TO-247封装内整合了大多数电路所需的超高速续流二极管（Freewheeling Diode），减少外部组件的数量。

这两款1200V IGBT能够承受长达10微秒的短路状态，可抵抗常见的马达控制器失效原因，如闸驱动讯号错误、接地短路以及马达相接绝缘（phase-to-phase insulation）故障。透过提高可靠性，STGW30N120KD和STGW40N120KD减少了维修、更换次数以及售后维修服务的需求，以降低终端用户的使用成本。

新产品系列的额定作业电压为1200V，可用于440V或480V的交流线电压。结合现有的600V低损耗IGBT产品线，新组件将协助意法半导体打造业界最齐全的功率晶体管产品组合。

STGW30N120KD和STGW40N120KD分别用于30A和40A马达驱动器。这两款产品均已量产并开始销售。