恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日宣布，推出新款ARM Cortex-M3微控制器。 LPC1800的低功耗最佳化设计，使其在Flash或RAM中的极低频率到150Mhz的范围中，均可发挥最大化的性能。此性能为广大的需求应用提供了最多的连接和频宽的选择。灵活的双组256位元Flash记忆体支援读、写操作​​，可保存「黄金副本（golden copy）」，防止在重新编程中出现失误，也可以​​简单地成为单储存位元使用。LPC1800也支援两种最新周边设备：灵活的四路SPI介面和可配置计时器子系统。

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LPC1800采用恩智浦的90nm超低漏电制程技术，具有运行速度更快、动态功耗更低的特点，独有的低漏电最佳化将待机模式下的漏电流降低10至100倍。 LPC1800为Cortex-M3提供业界最大的On-chip SRAM，在多位元中最高可达200​​KB，每个位元都有独立汇流排存取，具备更高吞吐量，亦可分别进行断电（power down）控制进入低功耗工作模式。双位元1MB Flash架构提供最可靠的应用中重新编程，支援不间断Flash操作。

恩智浦以迅速采用四路SPI架构在新型串列Flash记忆体中的优势，首次推出无缝高速介面，几乎可与所有SPI和四路SPI厂商连接。高速介面与四路SPI记忆体连接时，每路的速率可达80 Mbps，其Off-chip资料和代码执行速度远远高出On-chip记忆体。

LPC1800可配置计时器子系统由包含状态机的计时器阵列组成，支援多种复杂功能，包含事件控制的PWM波形生成、ADC同步和Dead time控制。此计时器子系统为嵌入式设计者增加了灵活性，能为电源转换、照明和电机等多种应用建立使用者定义的波形和控制信号。

LPC1800的其他可用周边设备包含两个HS USB控制器、On-chip HS PHY、支援硬体TCP/IP核对计算的10/100T乙太网路控制器、高解析度彩色LCD控制器和AES解密，其中包含两个用于储存密钥的128位元安全动态密码（on-time password,OTP）记忆体。 AES加密版本可依需求提供。