意法半导体（ST）日前推出MDmesh V系列。MDmesh V系列是高性能MOSFET产品，拥有极低的每单位面积导通电组（on-resistance per area），在650V额定电压应用中可实现高能效和功率密度；对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路，如电子照明控制器、消费性电子电源和太阳能电力转换器可提升能效。

意法半导体功率晶体管市场总监Maurizio Giudice表示，新记录突显意法半导体在超接面（Super-Junction）MOSFET市场的地位，MDmesh V展现了意法半导多重漏极网格（Multi-Drain Mesh）技术，新产品所拥有的性能让客户能够降低应用设计能耗，透过设计研发创新产品为客户提供性能的承诺。

新产品STW88N65M5 MDmesh V MOSFET的导通电组仅为0.029Ω，设计工程人员可直接将新产品替代导通电组较高的MOSFET以提高终端应用的能效，或置入更少的MOSFET晶体管，从而减少封装尺寸并降低材料（BOM）成本。

意法半导体的650V STW88N65M5及其它的MDmesh V产品拥有高安全范围，从而提高MOSFET对AC电力在线一般一边突波电压的承受能力。