Diodes公司新推出的DMN3027LFG 30V N通道MOSFET作为开关使用，确保在FPGA电源轨上使用的大型大容量电容器能够快速及安全放电。电信设备、伺服器和资料中心内的最新FPGA具有多个需要正确排序的电源轨，为系统提供安全的开关电源。高可靠性直流－直流电源的设计师利用这个Diodes的新MOSFET，就可快速及轻易实现该目标。

DMN3027LFG 30V N通道MOSFET作为开关使用，确保在FPGA电源轨上使用的大型大容量电容器能够快速及安全放电。

DMN3027LFG在4.5V电压下提供26微欧姆的低导通电阻，足以使15mF的电容器在少于10毫秒的时间内放电。同时该导通电阻又不会低至大幅提高电流峰值，继而导致电磁干扰或增加瞬态热应力，最终有可能使MOSFET或电容器组受损。在FPGA低压电轨达到典型的1V时，电流会被安全操作区特定的MOSFET通道电阻所限制。该安全操作区的环境温度为+60°C, 以最少的散热片支援一般应用状况，从而在少于10毫秒的时间内安全处理高达20A的峰值电流。

DMN3027LFG采用PowerDI 3333封装，具有少于摄氏10度/W的结点至散热焊盘低热阻，可耗散高达3W。新产品以10,000个为出货批量。