Silicon Labs(芯科实验室)推出新型隔离闸极驱动器系列产品,满足最新电源系统的关键需求。新型Si827x ISOdriver系列产品基于Silicon Labs的数位隔离技术,提供闸极驱动器市场中高抗杂讯能力。其共模瞬变抗杂讯能力(CMTI)使Si827x驱动器适用于具备快速开关和潜在杂讯的电源系统。目标应用包括伺服器、电脑和基地台电源、太阳能逆变器和微型逆变器、D类放大器、马达控制器、电动/混合动力汽车(EV/HEV)的充电器等。
![新型Si827x ISOdriver系列产品为电源、太阳能逆变器和 EV/HEV充电器提供高抗杂讯性能。](/news/2016/03/02/1329003610S.jpg) |
新型Si827x ISOdriver系列产品为电源、太阳能逆变器和 EV/HEV充电器提供高抗杂讯性能。 |
对于电源设计人员而言,最重要的电源指标是单位体积功率(W/mm3)。为了尽量提高功率密度,许多设计人员为其调变设计方案选择更快的开关频率。电源系统使用高功率半导体开关,例如基于矽晶的MOSFET和基于新型氮化镓(GaN)和碳化矽(SiC)的MOSFET,需要高电流隔离的驱动器以控制开关。快速开关提升了系统效率,但也产生了更高的瞬态杂讯,可能引起讯号丢失或者由于闭锁(latch-up)而产生的永久性损害。Si827x闸极驱动器对高速开关引起的瞬态杂讯提供了优异的抗杂讯能力,可有效保护电源系统。
Si827x闸极驱动器提供抗杂讯性能(200kV/μs)和闭锁抑制能力(400kV/μs),这是目前其他闸极驱动器抗杂讯性能等级的两倍。藉由其高性能抗杂讯能力,Si827x系列产品消除了由于采用更快开关速率而带来的风险、防止了调变丢失和闭锁,而这些是最主要的安全问题。 Si827x系列产品极高的闭锁规格使得该闸极驱动器相当可靠,可有效预防永久性闭锁损害。
Si827x系列产品为电源转换器应用提供了单或双隔离闸极驱动器,可透过两个独立输入控制或一个输入控制。该闸极驱动器可采用2.5-5.5V的宽广VDD电压范围供电,最大驱动30V电源电压。更低的2.5V VDDI电压使得开发人员能够采用低电压电源来进行系统设计,进而减少能量消耗、增加系统效率,并且相容低电压供电的微控制器(MCU),例如Silicon Labs的EFM32 Gecko MCU 。
Si827x闸极驱动器具备一个EN(高电位启动)接脚而非典型的DIS(低电位启动)接脚,同时还具备欠压锁定(UVLO)故障保护、用于过滤杂讯输入的消除突波功能、高精准的可程式控制死区时间(DT接脚)。使用DT特性让开发人员能够在两个开关驱动器之间精确的控制「死区时间」,进一步最佳化电源系统效率和安全性。
Silicon Labs电源产品副总裁Ross Sabolcik表示:「Silicon Labs新型Si827x闸极驱动器系列产品解决了客户的实际问题,安全地实现快速开关和低电压2.5V操作,并具备卓越的时序规格。Si827x闸极驱动器一流的抗杂讯性能使得开发人员能够安全地采用快速开关MOSFET或者更快的GaN和SiC开关实现电源系统,不仅显著提升系统整体效率,同时更增强了可靠性。」
藉由Silicon Labs专利的电容耦合隔离技术,Si827x闸极驱动器能够提供极低的电磁干扰(EMI)辐射、较长的使用寿命、快速精准的时序规格,以及-40°C至+125°C的宽广温度范围。 Si827x隔离闸极驱动器现已量产,并可提供样品,采用窄体SOIC和精小的5mm×5mm LGA封装。为简化应用开发,Silicon Labs并提供支援Si827x系列产品的Si8273ISO-KIT、Si8274ISO-KIT和Si8275ISO-KIT评估套件。
产品特色
‧ 高抗杂讯性能(200kV/μs)和闭锁抑制能力(400kV/μs),支援超快速开关
‧ 可操作在低至2.5V VDD电源电压下的闸极驱动器,减少功耗
‧ 顶尖的时序规格(典型值30ns延迟),与其他的闸极驱动器相比,传播延迟短10倍、偏斜(skew)低20倍
‧ 使用EN接脚代替DIS接脚,确保安全预设状态
‧ 精准时序(包括死区时间控制)最大化系统效率和安全
‧ 在长使用寿命中稳定运行的耐用可靠解决方案,此处的使用寿命长达60年,或是比光耦解决方案使用寿命长10倍