美高森美公司(Microsemi Corporation) 发布专门用於高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模组的极低电感封装。

美高森美推出专门用於SiC MOSFET的极低电感SP6LI封装，实现高电流、高开关频率和高效率。

这款全新封装专为用於其SP6LI 产品系列而开发，提供适用於SiC MOSFET技术的2.9 nH杂散电感，同时实现高电流、高开关频率以及高效率。美高森美将在德国纽伦堡展览中心举行的PCIM 欧洲电力电子展上展示使用新封装的SP6LI功率模组，以及其他现有产品系列中的SiC功率模组产品。

美高森美继续扩展其SiC解决方案的开发工作，已经成为向市场提供一系列Si/ SiC功率离散式和模组解决方案的少数供应商之一。

美高森美的SP6LI产品系列采用专为高电流SiC MOSFET功率模组而设计的最低杂散电感封装之一，具有五种标准模组，在外壳温度(Tc)为80。C的情况下，提供从1200 V、210A至586 A；以及Tc同为80。C的情况下达到1700 V、207 A的相臂拓扑。这种新型封装具有更高的功率密度和紧凑的外形尺寸，可以使用较少数量的并联模组来实现完整的系统，协助客户进一步缩小设备尺寸。

美高森美的SP6LI功率模组可以用於多种工业、汽车、医疗、航太和国防应用领域的开关模式电源和马达控制，应用例子包括电动车/混合动力车(EV/HEV)动力传送和动能回收系统、飞机作动器系统、发电系统、开关模式电源，用於电感加热、医疗电源和列车电气化等应用的开关模式电源、光伏(PV)/太阳能/风能转换器 和不断电供应系统。

美高森美??总裁兼功率离散器件和模组业务部门经理Leon Gross表示：「我们的极低杂散电感标准SP6LI封装非常适合为用於高开关频率、高电流和高效率应用的SiC MOSFET器件改善性能，提供更小尺寸的电源系统解决方案以协助客户大幅降低设备需求。我们的低电感封装具有出色的开关特性，使客户能够开发更高性能的高可靠性系统，协助他们从竞争中脱颖而出。」

市场研究机构Technavio指出，用於全球半导体应用的SiC市场预计在二○二一年前达到大约5.405亿美元，年复合增长率(CAGR)超过百分之十八。此外，IHS Markit的研究表明，预计SiC MOSFET器件到二○二五年将产生超过三亿美元营收，几??达到萧特基二极体的水准，成为第二大畅销SiC离散式功率器件类型。

美高森美的SP6LI电源模组采用由SiC功率MOSFET和SiC萧特基二极体构成的相臂拓扑，每个开关具有低至2.1 mOhms 的极低RDSon，并提供用於温度监控的内部热敏电阻和用於讯号和电源连接的旋入式端子，以及用於改善热性能的隔热和高导热性基板(氮化铝作为标准，氮化矽作为选件)。此外，标准铜底板可替换为铝碳化矽(AlSiC)材料选件以实现更高的功率??圈能力。