意法半导体（STMicroelectronics；ST）新推出STDRIVEG600半桥闸极驱动器输出电流大，上下桥输出讯号传播延迟为45ns，能够驱动GaN加强型 FET 高频开关。

意法半导体单晶片 GaN 闸极驱动器提升工业和家庭自动化的速度、灵活性和整合度。

STDRIVEG600的驱动电源电压最高20V，还适用于驱动N沟道矽基MOSFET，在驱动GaN元件时，可以灵活地施加最高6V闸极－源极电压（Gate-Source Voltage；VGS），确保导通电阻Rds(on)保持在较低水准。

此外，驱动器还整合一个自举电路，可最大限度降低物料清单成本，简化电路板布局。自举电路使用同步整流 MOSFET开关二极体，使自举电压达到VCC逻辑电源电压值，让驱动器只勋使用一个电源，而无需低压降稳压器（Low-Dropout Regulator；LDO）。

STDRIVEG600的dV/dt耐量为±200V/ns，确保闸极控制在恶劣的电气环境中具有较高的可靠性。逻辑输入相容最低3.3V的CMOS/TTL讯号，方便与主微控制器或DSP处理器连线。上桥电路耐受电压高达 600V，可用于高压汇流排最高500V的应用领域。

驱动器的输出sink电流／source电流为5.5A／6A，并提供独立导通和关断脚位，让设计人员可以选择最佳的闸极控制方式。此外，上下桥电路皆支援与功率开关源极相连的Kelvin连线方式，以加强控制性能。低边驱动器的专用接地和电源电压脚位可进行Kelvin连线，确保开关操作稳定，并使用分流电阻器侦测电流，而无需额外的隔离或输入滤波电路。

驱动器内建完备的安全保护功能，其中，高低边驱动欠压锁定（UVLO）可以防止功率开关二极体在低效率或危险状况下运行；互锁保护则可以避免开关二极体交叉导通。其他保护功能包括过热保护、省电关闭功能专用脚位。

STDRIVEG600适用于高压PFC、DC/DC和DC/AC转换器、开关电源、UPS电源系统、太阳能发电，以及家电、工厂自动化和工业驱动设备的马达驱动控制等应用。

驱动器提供两款配套开发板，协助设计人员快速启动新专案，其中，EVSTDRIVEG600DG板载一个150mΩ 650V GaN HEMT电晶体，该电晶体采用5mm x 6mm PowerFLAT封装，具备Kelvin Source脚位；EVSTDRIVEG600DM开发板则配备一个STL33N60DM2内建快速恢复二极体的MDmesh 115mΩ 600V矽基MOSFET功率开关，该电晶体采用具有Kelvin驱动源脚位的8mm x 8mm PowerFLAT封装或DPAK封装。 STDRIVEG600驱动晶片已量产，采用16脚位SO16封装。