意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出了属於STPOWER产品组合的新系列GaN功率半导体产品，能大幅降低各种电子产品的能量消耗并缩小尺寸。主要应用於消费性电子产品，例如，充电器、PC外接电源适配器、LED照明驱动器、电视机等家电内部电源。全球消费性电子产品的产量很大，若提升效能便可大幅减少二氧化碳排放。在高功率应用中，意法半导体的PowerGaN元件亦能为电信电源、工业驱动马达、太阳能逆变器、电动汽车及充电器带来益处。

意法半导体推出首款PowerGaN产品，更高效节能更纤薄

意法半导体汽车和离散元件产品部??总裁暨功率电晶体事业部总经理Edoardo Merli表示，「商用GaN产品是功率半导体的下一个战场，ST将释放这激动人心的技术潜力。ST推出隶属STPOWER产品组合之新系列的首款产品，为消费、工业和汽车电源应用带来突破性的效能表现。ST将逐步扩大PowerGaN产品组合，让全球客户都能设计出更高效、更小巧的电源。」

氮化??（Gallium Nitride，GaN）是一种宽能隙复合半导体材料，其电压耐受能力优於传统矽材料，且不会影响导通电阻效能，故可降低开关损耗。此外，GaN产品的开关效能亦相较矽基电晶体高，进而取得极低的开关损耗。开关频率更高，故应用电路可采用尺寸更小的被动元件。上述所有优势让设计人员得以减少功率转换器的总损耗（减少产生的热）并提升效能。因此，GaN可让电子产品小型化，例如，采用GaN电晶体的PC电源适配器比当今普及的充电器尺寸更小而且重量更轻。

根据协力厂商预测，使用GaN元件後，标准的手机充电器可缩小高达40%，或於相同尺寸条件下输出更高的功率，在效能和功率密度也能取得类似的效能提升，适用於消费、工业、汽车等各种电子产品。

作为意法半导体新G-HEMT电晶体产品家族的首款产品，650V SGT120R65A具有120m?的最大导通电阻（Rds(on)）、15A的最大输出电流和优化闸极驱动的开尔文接法脚位。该产品目前采用工业标准之PowerFLAT 5x6 HV紧密型表面黏着式封装，PC适配器、USB壁式充电器与无线充电为其典型的应用。

开发中的650V GaN电晶体现已提供工程样品，其中120m? Rds(on)的SGT120R65A2S取消打线接合制程，改采用2SPAK先进层压封装，提升了高频高功率应用的效能与可靠性，SGT65R65AL和SGT65R65A2S的导通电阻皆为65m? Rds(on)，分别采用PowerFLAT 5x6 HV和2SPAK封装。上述产品预计将於2022年下半年量产。

此外，G-FET系列还推出新的叠接式GaN电晶体SGT250R65ALCS，其采用PQFN 5x6封装，导通电阻为250m? Rds(on)，将於2022年第三季提供样品。

G-FET电晶体系列是一种高速、极低Qrr、稳定的叠接式GaN或耗尽型场效电晶体，其附有标准矽闸极驱动器，适用於各种电源设计。

G-HEMT电晶体系列是一种超高速、零Qrr的增强型场高电子迁移率电晶体，易於并联，也非常适合高频率和高功率之应用。

G-FET与G-HEMT皆属於STPOWER产品组合的PowerGaN系列。