安森美半导体（ON Semiconductor）扩充低Vce(sat)双载子接面晶体管(BJT)产品系列，推出采用先进硅芯片技术的PNP与NPN产品。这两种新型晶体管与传统的BJT或平面MOSFET比较，不仅实现了能效的最大化，而且还可延长电池的使用时间。最新的低Vce(sat) BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET 及 SC-88等多种封装形式，非常适用于各种多样化的便携式应用。

安森美推出采用先进硅芯片技术的PNP与NPN产品

安森美半导体离散产品部副总裁兼总经理Mamoon Rashid表示：「安森美半导体提供有目前市场上最丰富的高效能BJT选择。我们的Vce(sat) BJT是低功率耗损和高散热性能领域的领先产品，为电源控制提供了非常经济的解决方案。这些组件相当适合移动电话与汽车应用中的关键切换开关上，为设计工程师提供能够帮助他们推出领先产品的高成本效益解决方案。」

安森美半导体最新推出的NSSxxx低Vce(sat)表面黏着式封装组件专为对能效控制要求极为严格的低压转换应用而设计。电流为1A时，该组件可以提供45mV的超低饱和电压以及300倍的电流增益。这种低Vce(sat)BJT还提供超过8kV的高静电放电(ESD)承受力，因此能够在突波发生时进行自我保护避免受损。由于具备了卓越的电气特性以及较低的温度系数，因此这些组件可以提高能效，不需额外的ESD保护电路就能实现更好的电池节省。相对于MOSFET而言，这些组件比较适中的切换速度可以降低噪声谐波，因此更适于需要控制电磁干扰(EMI)的应用。