安森美半導體（ON Semiconductor）擴充低Vce(sat)雙載子接面電晶體(BJT)產品系列，推出採用先進矽晶片技術的PNP與NPN產品。這兩種新型電晶體與傳統的BJT或平面MOSFET比較，不僅實現了能效的最大化，而且還可延長電池的使用時間。最新的低Vce(sat) BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET 及 SC-88等多種封裝形式，非常適用於各種多樣化的便攜式應用。

安森美推出採用先進矽晶片技術的PNP與NPN產品

安森美半導體離散產品部副總裁兼總經理Mamoon Rashid表示：「安森美半導體提供有目前市場上最豐富的高效能BJT選擇。我們的Vce(sat) BJT是低功率耗損和高散熱性能領域的領先產品，為電源控制提供了非常經濟的解決方案。這些元件相當適合行動電話與汽車應用中的關鍵切換開關上，為設計工程師提供能夠幫助他們推出領先產品的高成本效益解決方案。」

安森美半導體最新推出的NSSxxx低Vce(sat)表面黏著式封裝元件專為對能效控制要求極為嚴格的低壓轉換應用而設計。電流為1A時，該元件可以提供45mV的超低飽和電壓以及300倍的電流增益。這種低Vce(sat)BJT還提供超過8kV的高靜電放電(ESD)承受力，因此能夠在突波發生時進行自我保護避免受損。由於具備了卓越的電氣特性以及較低的溫度係數，因此這些元件可以提高能效，不需額外的ESD保護電路就能實現更好的電池節省。相對於MOSFET而言，這些元件比較適中的切換速度可以降低雜訊諧波，因此更適於需要控制電磁干擾(EMI)的應用。