国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,为包括开关模式电源(SMPS)、不断电系统(UPS)、反相器以及DC马达驱动器等工业应用,提供非常低的闸电荷(Qg)。
![150V和200V MOSFET](/news/2009/08/19/1749424911.jpg) |
150V和200V MOSFET |
与其他竞争组件相比,IR 150V MOSFET提供的总闸电荷低多达59%。至于新款200V MOSFET的闸电荷,则比竞争组件的低多达33%。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示,随着DC-DC功率转换应用技术日益进步,开关频率也有所提高,输入电容和闸电荷在整体效率方面担当起重要的角色。开关损耗的多少对快速开关电路来说是关键的问题。IR新推出的150V和200V MOSFET正好针对这个挑战作出优化,适合作为电讯应用中隔离式DC-DC转换器的主要开关,又或者在任何先进的DC-DC应用中推动轻负载效率。
这些新款MOSFET达到工业级别及第一级湿度感应度(MSL1)。它们采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封装,全部皆为无铅设计,并符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)指令。