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美高森美针对RF和宽带通信应用 推出新型 MOSFET器件
VRF2944在50V供电电压下具有业界最高的输出功率

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2013年09月23日 星期一

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美高森美公司(Microsemi Corporation)扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS) MOSFET产品系列, 宣布推出VRF2944 和VRF3933,它们是为了可在2-60 megahertz (MHz)工业、科学和医疗(ISM)频率范围运作而设计的两款更大功率、更高电压(V) 器件,目标应用包括需要大功率和高增益,但却不会影响可靠性、稳健性或相互调变失真的商业和国防RF功率和宽带通讯。

与包括SD2933的竞争器件相比,业界领先的VRF2944器件在50V供电电压下可提供400W或提高33%的输出功率。美高森美公司的较大功率器件可以让客户将现有系统的功率增加33%,或减少其RF功率系统的每瓦费用。此外,该MOSFET器件还整合了一闸极电阻,此举可用来提升寄生电阻,以保持60MHz的最大工作频率。VRF2944器件与美高森美的前一代产品VRF2933相似,能够在最高65V供电电压下运作,单一VRF2944器件可提供675W的输出功率。

VRF3933器件能够在最高为100V的供电电压下运作,并且提供300W输出功率。这款更高电压MOFET器件还可提供更高的输出电阻,更容易与50Ω负载匹配。例如,四个VRF3933器件两两并联,而且这两个并联对器件采推挽式形式,能够通过4:1变压器,使用83V供电电压向50Ω负载发送1.1 kW功率。

關鍵字: RF  宽带通信应用  半导体  美高森美 
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