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ST推出创新的高压晶体管技术
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎报导】   2009年05月14日 星期四

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意法半导体推出全新功率MOSFET系列产品,结合更高的击穿电压技术、更强的耐用性,以及更低的电能耗损率,相当适合液晶显示器、电视及节能灯具整流器等需要高效能电源的应用。

STx7N95K3系列的推出,为功率MOSFET市场切割出全新的950V击穿电压标准产品区间。该区间的产品特别适用于那些将电压提升至400V或更高,以尽可能降低能源耗损的系统。与其他品牌的900V产品相比,意法半导体的950V功率MOSFET晶体管拥有更大的安全工作面积,也因此具备更高的可靠度。同时,设计人员还可用单一950V MOSFET取代双晶体管电路,从而简化电路设计、缩减尺寸,并减少使用的组件数量。

此外,意法半导体STx7N95K3系列亦较其他品牌拥有更高的雪崩电流。该项优势确保产品能够承受高于击穿电压的电涌,以防止过量电涌烧毁组件。最新的900V产品拥有9A的雪崩电流,而市面上功能最接近的产品仅有1A的雪崩电流。

除了耐高压之外,STx7N95K3系列还能将传导损耗降至最低程度。新产品的传导电阻RDS(ON)能降低至1.35奥姆(Ohm)以下,与上一代MOSFET产品相比,等于降低了30%左右的单位面积传导电阻RDS(ON),协助设计人员进一步提高功率密度与能效。

關鍵字: ST  晶体管 
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