國際整流器公司(IR)日前推出全新的IRF7335D1型雙FETKY元件，把兩個N通道MOSFET及一個肖特基二極管，組合於單一SO-14封裝，載電效能遠超市場上同類雙MOSFET-肖特基組合封裝方案，亦較IR早前推出的IRF7901D1元件提供高出40%的電流。相較於同類離散式電路方案，IRF7335D1可節省高達60%空間。該元件特別為標準12V輸入和5V、3.3V及1.7V輸出的11A同步降壓轉換器電路而設計，適用於筆記型電腦和桌上型電腦、遊戲機控制板及網際網路設備。組合式封裝既能簡化電路佈置、降低封裝和組裝成本，同時可提高功率密度、簡化產品採購的物流程序。

IR表示，IRF7335D1內兩個MOSFET經過個別最佳化，可提供控制及同步切換功能。同步MOSFET的導通電阻極低，可減低傳導損耗。控制MOSFET的整體柵電荷和柵漏電荷均較低，可減少切換損耗；擊穿電壓更額定於30V，能安全處理輸入電壓尖峰。內置式肖特基二極管的正向電壓降較低，能支援高速和高效率切換。

IR台灣分公司總經理朱文義表示，「全新雙FETKY組合元件採用的SO-14封裝含有一個經定製的引線框架，能改善熱性能及多晶片效能。這種整合模式更可減低同步場效應管及並聯肖特基二極管間的雜散封裝和印刷電路板線跡電感，有助簡化板上佈置，增強操作效率。」