無線通信應用領域的射頻積體電路（RFIC）供應商RF Micro Devices推出用於3V IS-95/CDMA 2000 1X 掌上型數位蜂窩設備和擴頻系統等CDMA 應用的高功率、高效率的線性功率放大器（PA）模組。RF3163、RF3164及RF3165 PA模組是採用砷化鎵異質結雙極電晶體（GaAs HBT）工藝加以製造的。

RFMD指出，這些體積為3x3x0.9毫米的PA模組基於該公司正在申請專利的Lead Frame Module（LFM）封裝技術。通過將無源元件的功能整合到由RFMD 製造的GaAs 晶片中，LFM 封裝消除了表面貼裝器件以及與表面貼裝器件佈局相關的成本。採用LFM 技術設計的為品無需層壓或低溫共燒陶瓷（LTCC）基板或表面貼裝元件，因此極大簡化了產品供應鏈並縮短了生產交付周期。

除僅為0.9毫米的尺寸外，該PA系列還具有良好的耐久性、散熱功能、濕度敏感性等級（MSL）、靜電釋放（ESD）敏感性。這些PA 模組採用MSM 驅動型數位元控制線路來減少靜態電流，以便在電量較低的情況下實現更長的通話時間。由於自身包含了50 歐姆的輸入與輸出，因此這些PA 模組在內部進行了匹配，以獲得最佳的功率、效率及線性。RF3163 、RF3164 及RF3165 PA 模組均是採用16 引腳、3x3x0.9 毫米的超小型QFN 封裝加以裝配的，與基於層壓封裝傳統模組相比，採用這種封裝的模組具有更高的散熱功能。訂購數量為1萬件時，這些PA 模組的單價均為1.65 美元。目前，RF3163 的樣品可通過RFMD獲得。RF3164 與RF3165 的樣品有望於2004年5月提供。