Vishay宣布推出八款採用創新型PowerPAK ChipFET封裝的N信道功率MOSFET，該封裝可提供熱性能，其占位面積僅為3毫米×1.8毫米。這些元件採用各種配置和電壓，可使設計人員輕鬆替換廣泛功率轉換應用中的較大型功率MOSFET。

作為採用較大型SO-8封裝的MOSFET的小型替代產品，這些新型PowerPAK ChipFET 器件具有相同的3W最大功耗，但占地面積小81%，濃度薄48%（0.8 毫米），因此具有更高的功率密度。

為實現優化的設計效率，採用Vishay新型PowerPAK ChipFET系列封裝的N信道功率MOSFET是專門面向注重空間的低功耗計算機及固定電信應用中的負載點、同步整流及邏輯級直流到直流轉換應用而設計的。

N信道PowerPAK ChipFET器件還將用作便攜式電子系統及筆記本電腦中的負載開關，因此與採用TSOP-6封裝的功率MOSFET相比，可使占位面積減小33%，濃度薄23%，以及在4.5V閘極極驅動時使導通電阻減小9%。

日前推出的這八款元件包括單信道、雙信道及單信道＋肖特基二極體功率 MOSFET，它們的額定擊穿電壓介於20V～60V。

採用PowerPAK ChipFET系列封裝的單個N信道功率MOSFET的額定典型熱阻低至 3°C/W(RthJC)，20VDS N信道單信道器件中的最大導通電阻值低至0.015Ω，雙信道器件的最大導通電阻值為0.039Ω。單信道＋肖特基二極體功率MOSFET的導通電阻值低至0.039Ω，在電流為1A時肖特基二極體的正向電壓為0.375V。