手機快閃記憶體解決方案供應商意法半導體(ST),宣佈推出65nm PR系列NOR快閃記憶體產品。基於第四代multi-level cell(MLC)技術,65nm PR系列快閃記憶體的軟硬體可完全相容於現有的90nm PR系列NOR快閃記憶體,並提供更高的記憶體容量和更佳的性能,為客戶提供一條簡單的系統升級途徑。
![65nm PR系列NOR快閃記憶體](/news/2007/02/27/1852272571.jpg) |
65nm PR系列NOR快閃記憶體 |
為滿足行動應用市場對高解析度相機、多媒體內容和快速網際網路連結的需求,ST新推出的65nm PR系列產品的burst讀取速度可達133MHz,編程速度可達每秒1.0-Mbyte,並採用1.8V工作電壓提供deep power down模式。這個先進的NOR快閃記憶體系列產品與LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM和NAND以共享bus或分隔bus的配置組裝在一起,並採用多晶片封裝(Multi-Chip Package, MCP)和層疊封裝(Package–on–Package,PoP)的封裝技術。