Vishay宣佈推出首款採用MICRO FOOT晶片級封裝的TrenchFET功率MOSFET，該器件具有背面絕緣的特點。

Vishay推出採用MICRO FOOT晶片級封裝MOSFET

Si8422DB針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器及智慧型電話等便攜設備中的功率放大器、電池和負載切換進行了優化。該器件2-mil背面塗層可實現對MICRO FOOT封裝的頂部絕緣，以防與便攜器件中移動部件暫時接觸而產生的電路短路。

此絕緣設計令該器件可用於具有非常嚴格的高度要求的應用，從而設計人員可靈活放置MOSFET，遮罩、按鈕或觸摸屏等其他零部件可直接放置在MOSFET的上方，這在壓低上述部件空間時將進一步壓縮產品的高度。此設計靈活性還可減少寄生效應，由於無需路由至PCB上的區域及更少的高度限制，電路佈局可更好地優化

20V n通道Si8422DB具有1.55mm × 1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度。該器件提供了1.8V VGS時0.043 Ω至4.5V VGS時0.037 Ω的低導通電阻範圍，且最大柵源電壓為±8 V。