快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor）針對可攜式應用的設計人員推出一款20V、體積為2mm x 2mm x 0.55mm的薄型MicroFET MOSFET元件，它具有業界最低的RDS(ON)。FDMA6023PZT是一款採用緊湊、薄型封裝的雙P通道MOSFET，能夠滿足可攜式設計的嚴苛要求，採用延長電池壽命的技術，實現更薄、更小的應用。

薄型MicroFET MOSFET元件

FDMA6023PZT採用超薄的導線架暴露（(lead-frame exposed）之MicroFET封裝，與傳統的MOSFET相比，它具有出色的熱阻，能提供卓越的功率耗散，並可減少傳導損耗。該元件採用快捷半導體PowerTrench MOSFET製程技術，可獲得極低的RDS(ON)值、總體柵級電荷（QG）和米勒電荷（QGD）—這些都是可以產生出色傳導和開關性能之強項。

快捷表示，FDMA6023PZT是該公司完整的MicroFET MOSFET產品系列的一員，在因應當今功能豐富之可攜式應用的功率設計挑戰方面，具有關鍵性的作用，該產品系列包括20V P通道PowerTrench MOSFET元件FDMA1027PT，以及帶有肖特基二極體的20V P通道PowerTrench MOSFET元件FDFMA2P853T。與常用於低壓設計的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET元件相比，這些產品的體積縮小了55% ，而高度則降低達50%。