安森美半導體（ON）於昨日（2/22）宣佈，推出包括500 V和600 V元件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應電晶體系列。這些新方案的設計適合功率因數校正和脈衝寬調變段等高壓、節能應用的強固要求，在這些應用中，加快導通時間及降低動態功率損耗至關重要。該方案適合應用用於遊戲機、印表機和筆記型電腦電源適配器，及應用於ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業照明鎮流器。

ON擴充功率開關產品陣容推出高壓MOSFET系列

安森美表示，這些新的500 V和600 V元件是單N通道MOSFET，以提供低導通電阻(RDS(on))實現極低的功率耗散。這些元件使用平面條形技術，能在極苛刻應用中工作。低門電荷降低開關損耗，還提高電源效能。這些元件的額定雪崩能量在電源應用中提供強固的工作。這些元件的優異性能組合幫助開發更高效能的電源子系統。

安森美半導體MOSFET產品分部副總裁兼總經理Paul Leonard表示，安森美戰略性地進入了高壓開關市場，提供豐富的500 V到600 V負載開關方案選擇，更符合客戶的總體電源管理需求。未來安森美將繼續擴充高壓功率MOSFET產品陣容，為消費及工業客戶提供針對性的方案。