英飛凌(Infineon)昨(6)日宣佈,推出採用溝槽技術製程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產品。英飛凌表示,新型40V OptiMOS P2產品為提升能源效率、減少CO2排放及節省成本設立新的基準。
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Infineon新型P通道40V MOSFET系列產品,提供50A至180A的各種標準封裝方式。 |
英飛凌新型P通道40V MOSFET系列產品,提供電流範圍50A至180A的各種標準封裝方式,衍生出30多款系列產品。由於P通道40V OptiMOS P2產品是用作汽車橋式應用產品的高壓側開關,因此不需要額外的電荷泵裝置,可大幅節省成本並提升EMI效能。
新產品整合脈衝寬頻調變(PWM)控制功能,相較於N通道MOSFET,具備更佳的散熱與雪崩能量表現,因此適用於電池反接保護及汽車馬達控制應用,例如電子動力轉向系統(EPS)馬達控制、三相與H型橋式(H-bridge) 馬達(雨刷、電子式駐煞車)、HVAC風扇控制以及電動泵。
橋式配置的高壓側與低壓側皆需要MOSFET。相較於N通道MOSFET,新型P通道裝置不需要額外的電荷泵,即可支援驅動直流刷馬達或無刷三相直流馬達的高壓側開關。若採用H型橋式馬達,平均可節省約5%至10%的成本。
OptiMOS P2裝置採用堅固的封裝,可承受在濕度敏感等級1(Moisture Sensitivity Level 1,MSL1)熔焊時 260°C 的高溫,並使用符合RoHS規範的無鉛電鍍。功率MOSFET符合汽車電子協會(AEC-Q101)所制訂的規格。