德州儀器 (TI) 日前宣佈，推出高速及驅動電流效能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側閘極驅動器，大幅減少 MOSFET、IGBT 電源元件及氮化鎵 (GaN) 元件等能帶間隙 (band-gap) 半導體的開關損耗。

德州儀器推出的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側閘極驅動器

UCC27511 與 UCC27517 驅動器是 TI 最新 UCC2751x 系列產品，有效取代使用雙極接面 (bipolar junction) 電晶體的獨立閘極驅動電路，可顯著提高離線 (off-line) 隔離式電源、電信模組、空調系統、UPS 以及可攜式電動工具等應用的效率、可靠度及電源密度。

詳細樣品與PSpice暫態模型資訊，請參見網頁：http://www.ti.com/ucc27511-prtw