英飛凌科技股份有限公司 推出 CoolMOS C7，擴充其高電壓產品組合，推出全新 650V 超接面 MOSFET 技術。新款 C7 產品系列可為所有標準封裝提供同級最佳 RDS(on)，此系列的低切換損耗也提高了全負載時的效率。C7 適用於硬式切換拓樸，例如連續導通模式功率因子校正 (CCM PFC)、雙電晶體順向式 (TTF) 與太陽能升壓。典型的應用為太陽能、伺服器、電信和不斷電系統 (UPS)。C7 擁有 650V 的崩潰電壓，因此也適合需要額外安全餘裕的應用。

英飛凌高電壓功率轉換產品部門主管 Jan-Willem Reynaerts 表示：「C7 系列延續了英飛淩高品質超接面 CoolMOS 技術的 12 年創新之路，強化了我們在高階電源轉換領域的領導地位。憑藉著 CoolMOS C7 的最佳優值係數 (RDS(on)*EOSS)，客戶得以設計出新一代結合更高的功率密度與效率的電源轉換系統。」

C7 系列提供業界最低的 RDS(on) ( TO-247 封裝為 19m?， TO-220 和 D2PAK 封裝為 45m? )。C7 的快速切換效能現在可讓客戶產品首次以高於 100 kHz 的切換頻率運作，同時在伺服器 PFC 等級達成鈦金級的效率。這可減少被動元件所需的空間，進而實現更高的功率密度。

此外，輸出電容 (Eoss) 中所減少的能源與低閘極電荷 (Qg)，也可在輕負載狀況下提高效率。

結合同級最佳效能的 C7、英飛凌新碳化矽 (SiC) thinQ! 第 5 代 蕭基二極體系列與 ICE2/ICE3 控制 IC，可為設計人員帶來無可比擬的 CCM PFC 電路效能。