帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
Littelfuse推出低電容瞬態抑制二極體陣列
 

【CTIMES/SmartAuto 陳復霞整理報導】   2017年06月07日 星期三

瀏覽人次:【4116】

SP2555NUTG系列可加強ESD、CDE、EFT與雷擊感應浪湧保護,保護10/100/1000乙太網、WAN/LAN等高速差分數據線。

SP2555NUTG系列瞬態抑制二極體陣列
SP2555NUTG系列瞬態抑制二極體陣列

全球電路保護領域的企業Littelfuse(利特)推出一個低電容瞬態抑制二極體陣列產品系列,用於保護高速差分數據線免因靜電放電(ESD)、電纜放電(CDE)、電氣快速瞬變(EFT)和雷擊感應浪湧而損壞。每個SP2555NUTG系列瞬態抑制二極體陣列(SPA二極體)均可在高達45A和30kV ESD的條件下保護四個通道或兩個差分線對。SP2555NUTG系列產品的浪湧容差高於目前市面上的瞬態抑制二極體陣列,並可達到新興乙太網協定較低的電壓目標。

SP2555NUTG瞬態抑制二極體陣列系列的典型應用包括10/100/1000乙太網、WAN/LAN設備、桌上型電腦、伺服器和筆記型電腦、LVDS介面、集成式磁性元件與智慧電視。

「憑藉每個輸入/輸出2.5pF的低電容以及較低的箝位電壓水準,SP2555NUTG系列成為筆記型電腦、交換機和其他網路設備中1GbE應用等高速資料介面的理想選擇。」 Littelfuse瞬態抑制二極體陣列產品經理Tim Micun表示,「低電容可維護信號完整性,並最大限度地減少資料遺失,同時提供免受電氣威脅的更強大設備。」

SP2555NUTG系列瞬態抑制二極體陣列提供表面安裝式μDFN-10卷帶封裝,可通過全球各地的Littelfuse授權經銷商索取樣品。

產品特色

‧每個輸入/輸出2.5pF的低電容有助於維護信號完整性,並最大限度地減少資料遺失,同時提供免受電氣威脅的更強大設備。

‧3.0mm x 2.0mm μDFN封裝經過優化,可在高達45A和30kV ESD的條件下保護兩個差分數據線對(四個通道)。

‧「直通型」設計可保障信號完整性、減少電壓過衝並簡化印刷電路板設計。

關鍵字: 二極體陣列  瞬態抑制  低電容  Littelfuse  電路保護裝置 
相關產品
Littelfuse超級結X4-Class 200V功率MOSFET具有低通態電阻
Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極體系列
Littelfuse推出高頻應用的雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動器
Littelfuse擴展ITV 5安培額定電流電池保護器系列
Littelfuse新款低側柵極驅動器適用於SiC MOSFET和高功率IGBT
  相關新聞
» Littelfuse的KSC DCT輕觸開關 提供雙電路技術與SPDT功能
» Littelfuse新款KSC DCT輕觸開關提供雙電路技術與SPDT功能
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
  相關文章
» 使用三端雙向可控矽和四端雙向可控矽控制LED照明
» 輕觸開關中電力高度與電力行程對比
» 掌握高速數位訊號的創新驅動力
» 功率循環 VS.循環功率
» P通道功率MOSFET及其應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.216.99.18
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw