Cypress公司近日宣布推出新系列1-Mbit序列非揮發性靜態隨機存取記憶體（nvSRAM），以及內建即時時脈（RTC）功能的新款4-Mbit與8-Mbit nvSRAM，提供電腦運算、工業、汽車、以及資料傳輸應用最佳解決方案。

Cypress nvSRAM

Cypress的nvSRAM採用其S8 0.13微米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，矽氧化氮氧化矽）嵌入式非揮發性記憶體製造技術，創造出更高密度，並改善存取速度與效能。序列式nvSRAM系列產品內含1-Mbit元件，推出多重組態設定，並配備一個業界標準SPI介面。序列式nvSRAM提供底面積極小的8針腳DFN與16針腳SOIC封裝，運作頻率最高可達40 MHz，其中一款序列nvSRAM還整合一個即時時脈元件。

Cypress平行式nvSRAM的存取時間僅有20奈秒（ns），提供無限次數的讀、寫、及召回（recall）能力，以及長達20年的資料保存期限。新款4-Mbit與8-Mbit nvSRAM整合一個即時時脈元件，為備份的重要資料提供時間戳記（time-stamping）功能，並具備一個可編程警報功能以及監控計時器。

Cypress的nvSRAM符合歐盟禁用物質防制法的規範（ROHS-compliant），能直接取代SRAM、電池供電的SRAM（BBSRAM）、以及EEPROM等元件，提供高速的非揮發資料儲存功能而無須使用電池。當關閉電源時，系統會自動把SRAM的資料傳送到非揮發元件。在電源啟動時，資料會從非揮發性記憶體回存至SRAM。這兩項作業都可透過軟體來控制。nvSRAM不僅可節省電路板空間，還能降低設計複雜度。

Cypress的1-Mbit 序列nvSRAM元件提供128k x 8的組態設定，目前已開始量產。CY14B101Q1與CY14B101Q2元件皆提供8針腳DFN封裝。內含即時時脈的CY14B101P 序列元件以及CY14B101Q3 皆提供16針腳SOIC封裝。

內含即時時脈的4-Mbit nvSRAM提供512k x 8（CY14B104K）與256k x 16 (CY14B104M)組態設定，現已開始量產。而內含即時時脈的8-Mbit nvSRAM，則可提供1024k x 8（CY14B108K）與512k x 16（CY14B108M）組態設定，目前已開始提供樣本，並預計2010年第1季開始量產。4-Mbit與8-Mbit元件則可提供44針腳與54針腳的TSOP II封裝。