快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出三種新型60V N-通道溝槽式MOSFET，專為大電流汽車設備而設計，如發動機/機體負載控制、ABS、動力系管理和噴射系統。FDB035AN06A0、FDP038AN06A0和 FDD10AN06是快捷半導體針對汽車應用而推出新型中壓(60V至150V) PowerTrench系列產品的首批60V元件。（在2002年5月，快捷半導體發佈三種用於42V汽車設備的75V溝槽式MOSFET。）該系列MOSFET元件成功達致國際公認的AECQ101標準的要求，採用PowerTrench技術實現業界最低的單個封裝類型RDS(on)。

60V MOSFET

快捷半導體表示，這些中壓元件的閘極電荷非常低，特別適合大功率應用。在許多新型汽車設備中若干元件必須並聯，以達到極低的總體切換電阻。但由於PowerTrench MOSFET的閘極電荷低，因此所需的驅動電流以至驅動電路的尺寸也同時降低。例如，FDB035AN06A0的總體閘極電荷為124 nC，結合超低RDS(on) (室溫下TO-263封裝的最大值為3.5毫歐姆)。對於電感負載開關應用，該元件具有承受單個和重複脈衝(625mJ @ 70A)的非箝制電感性突波（UIS）能力。

快捷半導體分離功率元件事業部汽車用MOSFET行銷經理Greg Hendry表示：「FDB035AN06A0、 FDP038AN06A0和FDD10AN06A只是我們在未來數月陸路續推出多種新型60V PowerTrench MOSFET元件的首批產品。目前，我們正在評估其他60V、100V和150V元件的特性，待評估工作完成後便會投入量產。而大部分元件的樣品現已有供應。」