意法半導體（ST）於日前宣佈，推出內嵌90nm製程快閃記憶體的微控制器，其整合針對工業標準的ARM Cortex-M3，內核最佳化的自適應實時（ART）記憶體加速器，進一歨提升STM32微控制器系列的性能和功耗。

ST表示，90nm嵌入式快閃記憶體技術的性能，已經在智能卡和汽車電子IC上得到實證。意法半導體已於2009年發佈內嵌90nm 快閃記憶體的微控制器的樣品。由於ARM Cortex-M3的性能較快閃記憶體技術高，在作業頻率較高時，處理器必須等待快閃記憶體；意法半導體的ART記憶體加速器可平衡這一固有的性能差距。現在，在作業頻率達到120MHz時，CPU無需等待快閃記憶體，進而提高系統的總體速度和效率。

有了ART記憶體加速器這種性能，開發人員可以在微控制器上執行更多的系統功能，無需使用更加昂貴的微控制器或DSP輔助晶片。最新採用90nm製程和ART記憶體加速器的多款STM32産品，已通過嵌入式微處理器基準協會的CoreMark測試。目前主要客戶已開始測試新款內建ART記憶體加速器的90nm微控制器樣品。意法半導體預計於今年下半年公佈産品詳細資訊。