Diodes公司推出採用DFN0606封裝的NPN電晶體MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP電晶體MMBT3906FZ和BC857BFZ。新產品的電路板面積僅0.36mm2，比採用DFN1006 (SOT883) 封裝的同類型元件小40%，並能提供相等甚至更佳的電氣效能。

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這些元件的離板高度只有0.4mm，適合智慧型手錶、健康和健身設備等穿戴式產品，以及智慧型手機與平板電腦等侷限空間的消費性產品。

Diodes公司首批DFN0606雙極電晶體產品 (兩款NPN及兩款PNP元件) 能夠處理高達830mW的功耗。其中40V額定值的MMBT3904FZ及MMBT3906FZ可大幅提升功率密度，還提供高達200mA的集極電流；45V額定值的BC847BFZ和 BC857BFZ的集極電流則為100mA。所有元件都會以少於1伏特的底部射極電壓開啟，確保在極低可攜式電源的情況下完全啟動。