意法半導體宣佈推出一款新的功率MOSFET- STV300NH02L，具有極低的微歐姆導通電阻特性，對要求嚴格的電源供應系統而言，將有助於降低損耗並提升效率。這個新推出的高電流N-channel MOSFET是專為並聯供電而設計的，並聯供電廣泛地使用在伺服器應用以提升系統的可靠性。

意法半導體宣佈推出一款新的功率MOSFET- STV300NH02L（來源：廠商）

ST開發出一項創新的ribbon-bonding技術，典型導通電阻Rds(on)極低，只有800微歐姆(0.8毫歐姆)，為高電流的MOSFET設立了一個新的工業基準。 這款20V的產品是降低高效能DC-DC轉換器二次側功耗(secondary rectification losses)的理想選擇，提供卓越的短路保護功能及極短的Td( off)(Turn-off time)

並聯供電常使用於關鍵系統以提供備用的電源供應，或用於提升電源輸出功率。 以前二極體常被使用在這個功能，為了達到更高的效能， MOSFET現在已取代了二極體。如今功耗極低的STV300NH02L在電源效率上又顯著地向前邁出一大步。