Diodes公司推出一对1A额定值的40V轻巧闸极驱动器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，能用在控制板上和嵌入式电源以及马达驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6（采用SOT26封装）和 ZXGD3009DY（采用SOT363封装）可缩短MOSFET的开关时间，有助于尽量降低开关损耗、改善功率密度，以及提升整体转换效率。

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新驱动器作为低功率控制IC的高增益缓冲级，能够从仅10mA的输入电流提供500mA的典型驱动电流，从而使功率MOSFET电容负载能快速充放电。驱动器具有极速开关，而且提供少于5ns的传输延迟时间，以及少于20ns的升降时间。

两款ZXGD3009系列的产品透过分开的拉灌输出，藉此独立控制MOSFET的开关时间，使MOSFET的操作模式更能满足应用的需求。组件能以正负电压驱动闸极，确保功率MOSFET硬关闭的可靠性 。

新闸极驱动器备有坚固的射极跟随器设计，以防止闩锁（latch-up）和贯通（shoot-through）效应，并能承受高达2A的峰值电流。两款产品提供的40V宽广操作电压范围，加上功率MOSFET闸极驱动，也使它们能处理远超出功率MOSFET闸极驱动常见的12V电压尖峰。