应用材料公司Ultima高密度电浆化学气相沉积（HDP-CVD:High Density Plasma - Chemical Vapor Deposition）家族再添新成员。新推出的Ultima X设备将提供下一世代组件所须的隙缝填补能力，包括先进的浅沟隔离（STI：Shallow Trench Isolation）、金属层间介质沉积（IMD: Inter-Metal Dielectric）和前金属介质沉积（PMD: Pre-Metal Dielectric）等制程应用。Ultima X同时为第一套支持0.10微米以下的电路结构，将为未来制造逻辑组件、闪存和DRAM组件的最佳解决方案。

应用材料副总裁暨介电系统与模块产品事业群总经理法哈‧莫葛丹表示：「Ultima X的推出，对于我们领先市场的Ultima HDP-CVD设备而言是一大跃进，其将可满足0.10微米制程技术的要求，让客户迅速发展出下一世代的高效能组件。此外，Ultima X可扩大高浓度电浆化学气相沉积技术的应用范围，支持数个世代的组件，不仅可满足客户最严格的技术要求，同时还可降低客户的风险与投资。」

应用材料公司表示，Ultima X具有多项先进的技术能力，将可在200mm及300mm晶圆上提供均匀且无气泡的沉积能力。Ultima X设备之核心为一个采用先进填补技术的反应室，提供突破性的「中心至边缘」填补能力，能在整颗晶圆表面上做出不含任何隙洞的沉积，这项独特能力，让Ultima X得以延伸高浓度电浆化学气相沉积技术的填补能力，含括纵横比(Aspect Radio)超过7：1的70nm晶圆，并能改进晶圆边缘的填补效果，让客户充份利用晶圆面积，提高晶圆的制造良率。Ultima X设备同时具备三项重要的特色，分别是加强型「FOCUS」电浆源设计、更高的电浆源射频功率，以及更大的泵浦，可提供更好的填补结果，满足0.10微米以下制程技术的要求。此外，先进的温度控制功能，也可将薄膜缺陷与微粒数目减到最少，进而提升晶圆的制造良率。