台积电12日宣布开发出鳍式场效晶体管(FinFET)组件雏型，此新式互补金氧半导体(CMOS)晶体管闸长小于25奈米；联电与Micronas签订五年晶圆代工协议，并取得MIPS的Amethyst核心授权；新加坡特许(Chartered)则取得Unive的混合信号输出入硅智产组件。

FinFET源自于传统标准的场效晶体管 (FET)，在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在一侧控制电路接通与断开。预期可以进一步缩小至9奈米(0.09微米)，大幅改善电路的可控性及漏电流问题，并解决CMOS制程的物性限制，并可使CMOS制程生产技术再延伸约二十年以上。。

联电与德商Micronas则宣布五年晶圆专工协议，联电将为Micronas生产混合信号芯片。联电表示，Micronas第一阶段平面显示器控制芯片设计已于四月完成，现正验证中，而单芯片混合模拟与数字电视译码器的首批试产(firstengineering)也正进行中，两样产品皆采用联电0.18微米混合CMOS制程技术。

特许则表示，目前Unive的包括LVDS、SSTL2与USB2.0组件，将使用特许0.13至0.18微米制程，同时也提供扩展到0.09微米技术的空间。