凌力尔特（Linear Technology）日前发表三组输出μModule稳压器LTM4632，可驱动所有新QDR4及旧式DDR SRAM：VDDQ，VTT和VTTR（或VREF）的所有三组电压端。 LTM4632采用微型、轻量的LGA封装（6.25mm x 6.25mm x 1.82mm），可焊接在PCB的背面，加上一个电阻和三个电容只占0.5cm2（双面）或1cm2（单面）。元件提供3A VDDQ和±3A VTT（= 1/2 * VDDQ），而两个并联的LTM4632可为更大的记忆体组提供每轨高达6A。针对高于6A VDDQ之应用，LTM4632可与LTM4630配置，以为非常大阵列的SRAM提供18A和36A之间的VDDQ。如果VDDQ已可使用，LTM4632则可经由配置来提供达6A之两相单一VTT输出。

凌力尔特用于 DDR 及QDR4 SRAM 的μModule 稳压器可操作于 3.3VIN 至 15VIN

LTM4632可从3.3V的低输入电源及标准5V和12V输入（高达15V）操作。两组输出电压（VDDQ和VTT）任一组的范围均为0.6V到2.5V，第三组输出为低杂讯10mA缓冲输出，可用于VTTR的SRAM。应用范围包括PCIe、云端系统、RAID、视频处理和使用SRAM的网路：包括DDR / DDR-II/ DDR-III / DDR4/ QDR/ QDR-II/ QDR-II+和QDR4。

LTM4632具备三组输出DC/DC稳压器，其由2个电路分配，同时包含电源开关、电感及支援零组件，所有均纳入精小、超轻薄的封装。 LTM4632 额定操作温度为摄氏–40度至125度。

产品特色

‧ 完整的DDR/QDR 4 记忆体电源方案仅占 1cm2 (单边PCB) 或 0.5cm2 (双边 PCB)

‧ 3A VDDQ + 3A VTT 或双相单一 6A VTT

‧ 宽广输入电压范围: 3.6V (具备可连接至INTVCC 的VIN ) 至15V

‧ 0.6V 至 2.5V 输出电压范围

‧ +/-1.5%,+/-10mA 缓冲 VTT = VDDQ/2 输出

‧ 外部频率同步

‧ 超轻薄6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封装