晶圓代工廠商中芯國際集成電路製造有限公司與ARM共同宣佈，中芯國際的90奈米LL(低漏電)與G(主流)製程，已採用隸屬於Artisan Physical IP之ARM Metro低耗電/高密度及Advantage高效能產品。雙方達成的協議進一步擴展彼此間之合作，透過ARM網站免費提供解決方案，協助業者開發尖端設計與解決方案。

ARM Metro低耗電/高密度IP是專為可攜式電子裝置所設計；而Advantage除了低耗電之表現外，更提供高速之運作效能，滿足消費性、通訊、以及網路市場中各種應用的需求。Metro與Advantage系列產品都含有ARM的standard cell以及多種記憶體編譯器。Metro standard cell包括電源管理套件，支援各種動態與漏電功耗節省技術，例如像時脈控制閘、多重電壓模式、以及功耗控制閘。Metro記憶體編

譯器提供類似的先進功耗節省功能。

Metro與Advantage系列IP包括ARM陣容完整的設計檢視與開發模組，能整合許多業界主流電子設計自動化（EDA）工具。這些檢視方案針對Metro與Advantage產品提供功能、時序、以及功耗等方面的資訊，藉以涵蓋各種運作條件，讓研發業者能建置複雜的耗電率管理系統，在其SoC中主動控制動態與漏電功耗。ARM Physical IP行銷副總裁Neal Carney表示：「中芯國際的先進技術發展藍圖持續為顧客提供各種建置解決方案，滿足業者對現今SoC設計的需求。中芯國際在採用ARM之Metro與Advantage系列產品，提供客戶獲得針對消費性、通訊協定、以及網路應用推出最佳化的Physical IP解決方案。」