英飛凌科技的科學家打造出了全世界最小的非揮發性快閃記憶體單元。這種新記憶體單元小達20奈米，大約比人的毛髮細5,000倍。由於所有製造方面的挑戰，包括微影，都能夠被解決，所以這種新的發展將在近年內就可能使非揮發性記憶體晶片有高達32 Gbit 的容量。這種容量是當前市面上的八倍。

英飛凌的研究人員則藉由創造出帶有鰭狀的三度空間(3D)結構，給相當於記憶單元心臟部分的電晶體使用，從而克服了這種挑戰。這種特殊的幾何構造把不需要的影響減到最低，而且比起當今的平面電晶體更顯著地改善了靜電控制。英飛凌這種稱之為 FinFET (Fin Field Effect Transistor)的元件，將攜帶資料的電子儲存於一氮化物層〈nitride layer〉中，而該氮化物層在矽質鰭狀物與閘電極〈gate electrode〉之間是絕緣的。鰭狀物只有8奈米薄，由20奈米寬的閘電極所控制。

FinFET也極端的可靠，而且擁有絕佳的電氣特性。例如，當前市面上最先進的記憶體需要大約1,000個電子才能可靠的記錄一個位元。這種新的英飛凌記憶單元只需要100個電子；額外的100個電子則用來記錄在同一個電晶體中的第二個位元。 相較而言，100個電子大約是單一金原子中的電子數量。縱然電荷是如此之低，但是英飛凌慕尼黑實驗室的樣品卻展現出了絕佳的電氣特性。