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瑞薩新款功率半導體裝置 可縮小60%安裝面積
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2011年02月22日 星期二

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瑞薩電子近日發表全新R2J20751NP功率半導體裝置之開發。此裝置可做為個人電腦、伺服器及印表機內DDR類型SDRAM(Synchronous DRAM)記憶體及大型邏輯裝置(如FPGA)之專屬電源供應器。R2J20751NP為同類產品(POL轉換器)中第一款具備最大25A額定電流,且在單一封裝中整合MOSFET(金屬氧化層半導體場效電晶體)及電源供應控制器的產品,可讓系統設計師實現尺寸更小且更具能源效率的電源供應系統。

瑞薩電子全新R2J20751NP功率半導體裝置
瑞薩電子全新R2J20751NP功率半導體裝置

R2J20751NP之主要特色:

(1)安裝面積較瑞薩電子現有產品縮小約60%

R2J20751NP最大額定電流25A的版本尺寸僅6 mm x 6mm,安裝面積較瑞薩電子現有產品縮小約60%,其中使用一對功率MOSFET做為功率轉換,並使用一個電源供應控制器(含晶片內建驅動器之PWM控制IC)提供驅動器控制功能。藉此實現更小型的電源供應系統。

(2)可達94.5%電源效率

R2J20751NP將5V輸入電壓轉換為1.5V輸出電壓時,可達94.5%最高電源轉換效率,在結合額定25A電源供應器與電源供應控制器(含晶片內建驅動器之PWM控制IC)的同類產品中為最高水準。如此將有助於降低電源轉換損耗,並藉此獲得更高的電源效率。

(3)可擴充之多相運作

R2J20751NP整合瑞薩電子獨家開發的時鐘傳送系統(接力賽系統),使多個裝置可透過主從式組態進行連結。這表示所使用的功率半導體數量(一或多個)可擴充以供應電子裝置(例如DDR類型SDRAM或FPGA)需耗用的電流量,因此在變更電源供應器規格時,不需要選擇不同的功率半導體裝置,藉此簡化電源供應器設計。

另外,內建的自動相位控制功能會自動切換至最佳的相位數,以符合電源供應器輸出電壓。如此在小電流至大電流的範圍內皆可維持高效能。

(4)內建保護功能

R2J20751NP裝置整合DC-DC POL轉換器所需的各種保護功能,包括過電流保護及過電壓保護。因此可用較少的外部元件建置可靠的電源供應系統。

R2J20751NP採用記錄良好且散熱性極佳的40-pin QFN封裝。位於封裝下方且佔據一半以上面積的晶粒座可在安裝後確保散熱效果。

關鍵字: 瑞薩電子(Renesas電源供應器 
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