快捷半導體(Fairchild) 延伸至創新的高性能功率電晶體技術領域，宣告碳化矽 (SiC) 技術解決方案 是功率轉換系統的理想選擇。

Fairchild宣告碳化矽 (SiC) 技術解決方案

先進 SiC 雙極電晶體 (BJT) 系列是快捷半導體 SiC 產品系列首批發佈產品之一，具備高效能、高電流密度、耐用性高，且可輕易在高溫條件下運作。 快捷半導體的 SiC BJT 運用極為高效的電晶體，可實現更高開關頻率 ，因其導通和開關 損耗更低（約 (30-50% 不等)，在同樣的系統型態條件下，可提供高達 40% 的輸出功率。

這些強大的 BJT 能使用更小的電感、電容及散熱片，總體系統成本可降低 20%。 這些SiC BJT，憑藉其可實現超高效率以及優越的短路和反向偏壓安全工作區域的性能等級，將會在優化高功率轉換的電源管理應用中，扮演重大的角色。

快捷半導體完善的碳化矽解決方案還包含開發了一個「隨插即用」的離散式驅動器電路板（15A 和 50A）。其與快捷半導體的先進 SiC BJT 結合使用時，不僅提供更高的開關速度，從而降低開關損耗並實現更佳可靠性，還可讓設計者輕鬆的將 SiC 技術落實在本身的應用中。