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CTIMES / 碳化矽
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典故
從演化到多元整合──淺介Bus規格標準的變遷

一個想要滿足於不同市場需求的通用型Bus標準界面,能否在不斷升級傳輸速度及加大頻寬之外,達到速度、容量、品質等多元整合、提升效能為一體的願望?
羅姆子公司SiCrystal和意法半導體宣布碳化矽晶圓長期供應協議 (2020.01.16)
羅姆和半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics;ST)宣布與羅姆集團旗下在歐洲SiC晶圓市佔率第一的SiCrystal公司簽署一項碳化矽(SiC)晶圓長期供應協議。協定規定,SiCrystal向意法半導體提供總價超過1.2億美元之先進150mm碳化矽晶片,滿足時下市場對碳化矽功率元件日益成長的需求
ROHM旗下SiCrystal與ST達成碳化矽晶圓長期供貨協議 (2020.01.15)
半導體製造商ROHM和意法半導體(ST)宣佈,雙方已就羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH(SiCrystal)長期供應碳化矽(SiC)晶圓事宜達成協定。 在SiC功率元件快速發展及其需求急速增長的背景下,雙方達成價值超過1.2億美元的協議,由擁有歐洲最大SiC晶圓產能的SiCrystal,針對為多樣電子設備供貨的全球半導體廠ST,提供先進的150mm SiC晶圓
Cree和ST擴大現有SiC晶圓供貨協定 並延長協定期限 (2019.11.22)
Cree和半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,ST)宣布,雙方將現有碳化矽(SiC)晶圓多年長期供貨協定總價提升至5億美元以上,並延長協定有效期限。這份延長供貨協議相較原合約總價提升一倍
科銳與采埃孚推進電驅動領域合作 (2019.11.06)
全球碳化矽(SiC)半導體企業科銳(Cree, Inc.)與德國采埃孚(ZF Friedrichshafen AG)宣佈達成戰略合作,開發業界領先的高效率電傳動設備。 通過此次戰略合作,科銳與采埃孚將強化現有的合作
博世聚焦SiC晶片應用 強化電動交通科技往 (2019.10.25)
現今汽車已大量使用半導體。實際上,每一台新車使用超過50顆半導體。博世開發的新型碳化矽(SiC)晶片,將讓電動交通再向前邁進一大步。未來此種特殊材料所製造的晶片將會引領電動車與油電混合車控制器的電力電子技術的發展
Cree和意法半導體宣布碳化矽晶圓長期供貨協議 (2019.01.10)
Cree宣布簽署一份長期供貨協議,為橫跨多重電子應用領域的全球領先半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics,簡稱ST)生產和供應Wolfspeed 碳化矽(SiC)晶圓。按照該協議規定,在目前碳化矽功率元件市場需求明顯成長的期間,Cree將向意法半導體提供價值2.5億美元之150mm先進碳化矽裸晶圓與磊晶晶圓
英飛凌收購Siltectra 碳化矽晶片產能將倍增 (2018.11.19)
英飛凌科技宣布收購位於德國德勒斯登的新創公司 Siltectra 。該新創公司開發一種創新的冷切割技術 ( Cold Split ),可有效處理晶體材料,並可大幅減少材料損耗。英飛凌將採用此 Cold Split 技術分割碳化矽 (SiC) 晶圓,使晶圓產出雙倍的晶片數量
UnitedSiC發布全新UF3C FAST碳化矽FET系列產品 (2018.11.06)
碳化矽(SiC)功率半導體製造商UnitedSiC宣布推出採用標準TO-247-3L封裝之UF3C FAST系列650V和120V高性能碳化矽FET。相較現有UJC3系列,FAST系列具有更快的切換速度和更高的效率水準
Littelfuse推出1700V、10hm碳化矽MOSFET (2018.10.23)
Littelfuse公司推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充碳化矽MOSFET器件組合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET產品的重要補充,也是Littelfuse公司已發佈的1200V碳化矽MOSFET和蕭特基二極體的強有力補充
碳化矽晶圓全球產能有限 市場仍處於短缺中 (2018.10.07)
相較於矽(Si),採用碳化矽(SiC)基材的元件性能優勢十分的顯著,尤其是在高壓與高頻的性能上,然而,這些優勢卻始終未能轉換成市場規模,主要的原因就出在碳化矽晶圓的製造和產能的不順暢
低耗能、小型化 碳化矽的時代新使命 (2018.10.03)
為了讓電子產品能朝低耗能、高效率與小型化等三大主流趨勢發展,便需要效率更高、性能更好且要能小型化的新一代功率元件。碳化矽獨特的物理特性,正適合用於滿足這些需求
碳化矽元件的市場發展關鍵:晶圓製造 (2018.10.03)
碳化矽有很高的硬度,僅次於金剛石,需要在極高溫才能燒熔,再加上生產條件的控制難度大,導致碳化矽晶圓量產不易,直接影響了終端晶片與應用的發展。
貿澤供應Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化鎵電晶體 適合航空電子應用 (2018.05.31)
貿澤電子即日起開始供應Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 電晶體。 QPD1025在65V的運作功率達1.8 kW,為業界功率最高的碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 射頻電晶體,擁有高訊號完整度和延伸的涵蓋範圍,適合L波段航空電子和敵我識別 (IFF) 應用
APEC 2018—Littelfuse推出超低導通電阻1200V碳化矽MOSFET (2018.03.16)
Littelfuse公司與從事碳化矽技術開發的美商Monolith Semiconductor推出兩款1200V碳化矽(SiC) n通道增強型MOSFET,進而擴展第一代電源半導體元件組合。Littelfuse與Monolith在2015年結成戰略合作關係,旨在為工業和汽車市場開發電源半導體
安森美推出碳化矽二極體 提供高能效、高功率密度 (2018.03.01)
安森美半導體(ON Semiconductor)推出最新650 V碳化矽(SiC)肖特基二極體(Schottky diode)系列產品,擴展SiC二極體產品組合。這些二極體的先進碳化矽技術提供更高的開關效能、更低的功率損耗,並輕鬆實現元件並聯
Littelfuse推出經擴展的碳化矽肖特基二極體產品系列 (2018.01.24)
Littelfuse, Inc.推出四個隸屬於其第2代產品家族的1200V碳化矽(SiC)肖特基二極體系列產品,該產品家族最初於2017年5月發佈。 LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的額定電流分別為8A、15A、20A,並採用主流的TO-220-2L封裝
羅姆期待與台灣產業攜手走進物聯網時代 (2017.12.19)
1987年,羅姆半導體(ROHM Semiconductor)選擇落腳台灣,然後一待就是30年。
Littelfuse碳化矽MOSFET可在電力電子應用實現超高速切換 (2017.10.20)
Littelfuse(利特)公司推出了首個碳化矽(SiC)MOSFET產品系列,成為該公司不斷擴充的功率半導體產品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽的碳化矽技術開發公司Monolith Semiconductor Inc.,向成為功率半導體行業的領軍企業再邁出堅定一步
東芝推出第二代650V碳化矽肖特基勢壘二極體 (2017.01.13)
東芝公司(Toshiba)旗下儲存與電子元件解決方案公司推出第二代650V碳化矽(SiC)肖特基勢壘二極體(SBD),該二極體將該公司現有產品所提供的順向浪湧電流(IFSM)提高了約70%。新系列八款碳化矽肖特基勢壘二極體出貨即日啟動
ROHM結盟Venturi電動方程式賽車車隊 提升賽車性能 (2016.10.14)
半導體製造商ROHM與參加FIA電動方程式賽車錦標賽的Venturi電動方程式賽車車隊(Venturi Formula E Team),締結為期3年的技術伙伴契約,透過碳化矽(SiC)功率元件的加持,運用在賽車馬力核心的變流器中,可協助賽車小型化、輕量化和高效率化,大幅提升賽車性能

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