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CTIMES / 碳化矽
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攀上傳輸頂巔──介紹幾個數位顯示介面標準

當傳輸技術進入數位時代之後,使用者及廠商對於數位顯示的品質要求越來越注重,結合顯示卡硬體的數位顯示介面標準,其發展進度因而更受到矚目。
博世2023年度營收、獲利逆勢成長 歸功交通及工業事業群貢獻 (2024.02.07)
即使歷經2023年全球經濟不景氣逆風來襲,根據博世集團今(日)最新宣告該集團不畏挑戰,仍逆勢達成該年度財務目標,總營業額約為916億歐元,實質成長8%;營業利潤率5%,較前一年4.3%微幅成長,合乎預期
英飛凌與Wolfspeed擴展碳化矽6 吋晶圓供應協定 (2024.01.25)
隨著產業供應鏈對碳化矽產品的需求持續增加,英飛凌科技與Wolfspeed 公司共同宣布擴大於 2018 年 2 月所簽署的長期 6 吋碳化 (SiC) 矽晶圓供應協定,並且延長期限。雙方擴展的合作範圍,包括一個多年期的產能預訂協定,進而穩定英飛凌整體供應鏈,以因應汽車、太陽能、電動車應用及儲能系統等領域對於碳化矽半導體需求成長
博格華納採用ST碳化矽 為Volvo新電動車設計Viper功率模組 (2023.09.08)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)將與博格華納(BWA)合作,為其專有的Viper功率模組提供最新的第三代750V碳化矽(SiC)功率MOSFET晶片。該功率模組用於博格華納為Volvo現有和未來多款電動車型設計的電驅逆變器平台
工研院、筑波攜手德山 串起半導體碳化矽產業鏈 (2023.08.15)
全球5G、電動車等產業蔚為趨勢,化合物半導體因具備高功率、高頻且低耗電特色,成為提升產品效率的關鍵材料,其中材料更是半導體前端製程的關鍵!為有效掌握半導體國產化關鍵材料技術
車規碳化矽功率模組—基板和磊晶 (2023.06.27)
本文敘述安森美在碳化矽領域從晶體到系統的全垂直整合供應鏈,並聚焦到其中的核心功率器件碳化矽功率模組,以及對兩個碳化矽關鍵的供應鏈基板和磊晶epi進行分析。
三菱電機將建設新晶圓廠 增進SiC率半導體產能 (2023.03.14)
因應快速增長的電動汽車對於碳化矽(SiC)功率半導體需求,三菱電機(Mitsubishi Electric Corporation)宣布,至2026 年 3 月的五年內,將投資計畫增加達到約 2600 億日元,主要用於建設新的晶圓廠增加碳化矽(SiC)功率半導體的產量
英飛凌與Resonac於碳化矽材料領域展開多年期供應及合作協議 (2023.01.30)
英飛凌科技與其碳化矽 (SiC) 供應商擴展合作關係,宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應及合作協議,以補充並擴展雙方在 2021年的協議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長期合作,根據合約內容,Resonac將供應英飛凌未來10年預估需求量中雙位數份額的SiC半導體
以碳化矽技術牽引逆變器 延展電動車行駛里程 (2022.11.14)
半導體技術革命催生了新的寬能隙元件,例如碳化矽(SiC)MOSFET功率開關,使得消費者對電動車行駛里程的期望,與OEM在成本架構下實現縮小里程之間的差距。
以碳化矽MOSFET實現閘極驅動器及運作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驅動方式與傳統的矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體(IGBT)不同,本文敘述在碳化矽應用進行閘極驅動時,設計人員如何確保驅動器具備足夠的驅動能力。
節能降耗勢在必行 寬能隙半導體發展加速 (2022.07.27)
寬能隙半導體擁有許多優勢,其節能效果非常出色。 碳化矽和氮化鎵兩種技術各有特點,各自的應用情境也有所不同。 寬能隙技術已經催生出一系列相關應用,協助達成碳中和的企業目標
東芝新款碳化矽MOSFET雙模組適用於工業設備 (2022.01.27)
東芝(Toshiba)推出兩款碳化矽(SiC)MOSFET雙模組:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3;額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的MG400V2YMS3。此為東芝首款具有此類電壓等級的產品,與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成1200V、1700V和3300V元件的陣容
貳陸公司(II-VI)以購併、協議串接垂直供應鏈 (2021.11.22)
美國雷射光學元件設計製造商貳陸公司(II-VI)是全球第一家試製並發表8吋SiC基板的公司,甚至還自行開發SiC長晶等設備。台灣在化合物半導體的應用仍在萌芽階段,初期若也能同步發展設備與製程,將可帶動效益倍增
意法半導體收購Norstel AB 強化碳化矽產業供應鏈 (2021.09.03)
碳化矽(SiC)功率半導體市場需求激增,吸引產業鏈相關企業的關注,國際間碳化矽晶圓的開發,驅使SiC爭奪戰正一觸即發。
碳化矽邁入新時代 ST 25年研發突破技術挑戰 (2021.07.30)
本文探討碳化矽在當今半導體產業中所扮演的角色、碳化矽的研發歷程,以及未來發展方向。以及意法半導體研發碳化矽25年如何克服技術挑戰及創新技術的歷程。
Cree謀轉型發展碳化矽 獨霸SiC晶圓市場 (2021.07.14)
相較於第一代半導體材料的矽(Si)與第二代半導體材料的砷化鎵(GaAs),碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)等第三代寬能隙半導體材料擁有高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性
碳化矽基板及磊晶成長領域 環球晶布局掌握關鍵技術 (2021.06.18)
在化合物半導體材料領域,環球晶在碳化矽晶片領域的專利佈局,著重碳化矽晶片的表面加工方法以及磊晶技術。唯有掌握關鍵技術、強化供應鏈及提升半導體晶圓地位,才能夠在國際市場上脫穎而出
Cree | Wolfspeed推出X頻段雷達元件系列 提高RF功率性能 (2021.04.20)
碳化矽技術開發大廠Cree | Wolfspeed宣布擴展其無線射頻(RF)解決方案陣容,推出四款新型碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)單晶微波積體電路(MMIC)元件,適用於各種脈衝陣列和X頻段連續波相位陣列應用,包括船載航海雷達、氣象監測雷達和新興的無人機系統雷達
ST推出隔離式閘極驅動器 可安全控制碳化矽MOSFET (2021.03.30)
半導體供應商意法半導體(ST)宣布推出STGAP系列隔離式閘極驅動器的最新產品STGAP2SiCS,可安全控制碳化矽(SiC)MOSFET,且作業電源電壓高達1200V。 STGAP2SiCS能夠產生高達26V的閘極驅動電壓,將欠壓鎖定(UVLO)閾壓提升到15.5V,滿足SiC MOSFET開關二極體正常導電要求
車用晶片測試設備追加訂單 波士頓半導體支援最高測試電高壓 (2021.03.25)
全球半導體測試分類機公司波士頓半導體設備公司(BSE)今天宣布收到車用半導體客戶的回購訂單,購買多台Zeus重力測試分類機,配置用於MEMS壓力和高功率積體電路測試
英飛凌推出650V碳化矽混合分立式元件 提升車用充電器效能 (2021.03.12)
英飛凌科技推出車用650V CoolSiC混合分立元件,內含一個50A TRENCHSTOP5快速開關IGBT和一個CoolSiC肖特基二極體,能以符合成本效益的方式提升效能和可靠性。將IGBT與肖特基二極體結合

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