帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
NS全新低功率高精度比較器內建V電壓參考電路
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2007年11月02日 星期五

瀏覽人次:【1125】

美國國家半導體公司(National Semiconductor Corporation)宣佈推出一款內建2.048V電壓參考電路的全新低功率高精度比較器,其特點是具有可調節磁滯功能,能為電源供應和電池監控系統、感應器介面以及臨界點偵測器提供最準確的訊號偵測功能。

美國國家半導體此款LMP7300晶片的可調節磁滯功能不但可以提高比較器的抗雜訊干擾能力,而且晶片的設計具有高度的靈活性,讓系統設計工程師可以準確設定對稱或非對稱的正、負雙向臨界值跳脫點,確保晶片不會提供錯誤讀數。此外,這兩個臨界值跳脫點均各自獨立,以免產生相互影響,因此有助於精簡系統設計。

這款比較器的偏置電壓低至只有300uV,而供電電流低至只有10uA,因此最適用於以電池供電的高精度系統。這款晶片的供電電壓範圍廣闊(2.7V至12V),因此最適用於3.3V、5V及+/-5V的系統。此外,這款晶片又可提供2.048V的參考電壓,誤差不超過0.25%,如此準確的參考電壓最適合用來監控輸入電壓。此款比較器的傳輸延遲時間不超過5ms,因此可以快速偵測訊號,準確度極高,功耗也極低。

此款LMP7300晶片採用美國國家半導體專有的VIP50 BiCMOS製程技術製造,是該公司的高精度、低電壓、低功率放大器系列的最新型號產品。此系列放大器不但可大幅提高系統的準確性,還可將系統功耗減至最低。

關鍵字: 美國國家半導體(NS, NS
相關產品
NS推出低功率晶片組
美國國家半導體推出新款高速緩衝放大器
NS發表新麥克風技術
美國國家半導體推出十款高速放大器
NS發表多款升壓轉換器晶片
  相關新聞
» 日本SEMICON JAPAN登場 台日專家跨國分享半導體與AI應用
» MONAI獲西門子醫療導入應用 加快部署臨床醫療影像AI
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.119.166.141
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw