Diodes近日宣佈,推出採用超小型SOT963封裝的雙極電晶體(BJT)、MOSFET和瞬態電壓抑制(TVS)元件,適合低功耗應用,Diodes SOT963的佈局面積只有0.7平方毫米,比SOT723封裝少30%,較SOT563封裝少60%。精簡的佈局面積加上0.5毫米的離板高度,讓Diodes的SOT963封裝產品能夠滿足廣泛的超小型可攜式電子設備的要求。
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Diodes SOT963 |
現階段推出的SOT963封裝產品,包括六款通用的雙極雙電晶體組合、三款小訊號雙MOSFET組合及一個四線配置TVS陣列DUP412VP5。這些設備的針腳封裝支援手焊及目測,省卻了X光檢測。
採用了SOT963封裝的雙電晶體,包括雙NPN、雙PNP和互補NPN-PNP配對,額定集射極崩潰電壓(VCEO)為40V和45V。雙N型、雙P型及互補MOSFET元件提供20V的額定汲源極崩潰電壓(BVDSS),額定導通電阻(RDS(ON))都在1.5V下測量。