Mouser Electronics宣佈開始供應Cree 的 CAS100H12AM1，為業界第一款將 SiC MOSFET 與 SiC 蕭特基二極體 (Schottky diode) 結合至單一半橋封裝的產品。

1200V 高頻碳化矽半橋模組 BigPic:600x393

Cree CAS100H12AM1 1200V 高頻碳化矽半橋模組是第一款市售的全碳化矽 (SiC) 電源模組， 同時也是第一款將 SiC MOSFET 與 SiC 蕭特基二極體結合至單一半橋封裝的完全合格模組。 此全新的雙重模組具備超低損耗，對於高頻作業具有高耐受性。 CAS100H12AM1 已證明可在 100kHz 下運作，處理 1200V 阻斷時可提供 100A 電流。 較高頻率的作業可提供尺寸較小與輕量的系統，並可在系統中使用價格較低的電感器與電容器。 CAS100H12AM1 非常適合工業應用，包括高功率轉換器、馬達驅動器、太陽能轉換器、不斷電系統與交換式電源供應器，以及感應加熱。

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