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意法半導體650V高頻IGBT利用最新高速切換技術提升應用性能
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2019年05月13日 星期一

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意法半導體(STMicroelectronics)新推出之HB2 650V IGBT系列採用最新的第三代溝槽式場截止(Trench Field Stop,TFS)技術,可提升PFC轉換器、電焊機、不斷電供應系統(Uninterruptible Power Supply,UPS)、太陽能逆變器等中高速應用設計的效能和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標準的車用產品。

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新款HB2系列屬於STPOWER?產品家族,較低的1.55V VCEsat 飽和電壓使導通性能更為出色;而更低的閘極電荷使其能夠在低閘極電流狀態下快速切換,提升動態切換性能;出色的散熱功能則有助於最大限度地提升可靠性和功率密度,同時新系列亦是市面上極具競爭力的產品。

HB2系列IGBT針對內部二極體提供三個不同的選擇:全額定二極體、半額定二極體或防止意外反向偏壓的保護二極體,其為開發者提供更多的設計自由,還可以根據特定應用需求優化動態效果。

全新650V元件的首款產品40A STGWA40HP65FB2現已上市,其採用TO-247長線腳封裝。

關鍵字: IGBT  st(意法半導體
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