快捷半導體(Fairchild Semiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N溝道MOSFET，這兩款產品經過特別設計，可為電漿顯示器(plasma display panel，PDP)應用提供業界領先的系統效率和最佳化的占位空間。與市場上同類型器件比較，這些採用快捷半導體專利PowerTrench製程技術的MOSFET，可提供最低的導通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐姆；FDB2710的典型值為36.3毫歐姆)。超低的RDS(on)加上極低的柵極電荷(Qg)，使得該器件具有同級產品中最佳的特性值(Figure of Merit，FOM)，因而可以在PDP系統中獲得更低的傳導損耗和出色的開關性能。

Fairchild 200V/250V POWERTRENCH MOSFET BigPic:320x240

該器件極低的導通阻抗配合超小型的晶片尺寸，再加上200V 或250V的擊穿電壓，讓它可以封裝在占位面積更小的D2PAK封裝中。PowerTrench MOSFET的另一項優勢是能夠承受高速電壓(dv/dt)和電流(di/dt)開關的瞬態回應，有助於提高系統的可靠性。

快捷半導體功能性功率產品部副總裁Taehoon Kim表示，「快捷半導體的FDB2614和FDB2710 MOSFET具有領先的FOM及採用緊湊的D2PAK封裝，非常適用於PDP應用中的路徑開關。這些器件經過量身訂做，可為纖巧的PDP電路板設計提供高電流處理能力和節省占位空間的封裝。快捷半導體這項產品的推出再次彰顯了其決心和能力，可以為客戶解決最緊迫的應用問題。」