美國國家半導體（National Semiconductor）近日宣佈，推出首款針對高電壓電源轉換器增強型氮化鎵（GaN）功率場效應電晶體（FET）而最佳化的100V半橋閘極驅動器。新推出的LM5113是一款高整合high-side和low-side GaN FET驅動器，與使用離散驅動器的設計相比，其可減少75%的元件數量，還能縮小多達85%的印刷電路板（PCB）面積。

美國國家半導體推出針對增強型氮化鎵功率FET的100V半橋閘極驅動器

磚式電源模組和通訊基礎設備的設計人員需要以最小的外形尺寸實現更高的功效。與標準金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）相比，由於具有較低的導通電阻（Rdson）、閘極電荷（Qg）以及超小的尺寸，增強型GaN FET可以實現更高的效率和功率密度，但是要可靠地驅動這類元件也面臨著新的重大挑戰。美國國家半導體LM5113驅動器積體電路解決了這些挑戰，使電源設計人員能夠在各種普及的電源拓樸結構中發揮GaN FET的優勢。

該驅動器採用專有技術，可將high-side浮動靴帶式電容電壓調節到大約5.25V，以驅動增強型GaN功率FET並達到最佳化，而不會超過最大閘極源額定電壓。LM5113還具有獨立的匯入/輸出，可實現靈活的導通強度和關閉強度。0.5歐姆的低阻抗下拉路徑為低臨限電壓增強型GaN功率FET提供了一種快速、 可靠的關閉機制，有助於讓高頻電源設計的效率達到最大。

LM5113整合了一個high-side靴帶式二極體（bootstrap diode），進一步縮小PCB面積。LM5113還為high-side和low-side驅動器提供了獨立的邏輯輸入，因此可靈活運用於各種隔離式和非隔離式電源拓樸結構。