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NXP推出NextPower MOSFET最低RDS全面提升效率
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2011年06月20日 星期一

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NXP推出NextPower MOSFET最低RDS全面提升效率
NXP推出NextPower MOSFET最低RDS全面提升效率

恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日宣佈,推出LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將增添15款新產品並已開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關鍵參數方面達到最佳平衡點,並具備業界最低的RDS(on)(25V和30V均為sub-1 mΩ型),是高性能、高可靠性開關應用的理想首選。傳統方法主要著眼於降低RDS (on) 和Qg,而恩智浦NextPower則採用超級接面技術使得低RDS(on)、低Qoss、低Qg(tot)與Qgd之間的平衡達到最佳化,進而達成強大的開關性能,減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗,同時提供傑出的SOA性能。此外,恩智浦LFPAK為最堅固的Power-SO8封裝,尺寸精巧,面積僅5mm x 6mm,可在惡劣環境下提供出色的功率開關功能。

關鍵字: NXP(恩智浦
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