Cypress公司4日宣布推出業界首款採用65奈米線寬的Quad Data Rate（QDR）與Double Data Rate（DDR）SRAM元件。此新款72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII、以及DDRII+記憶體，採用與晶圓代工夥伴聯華電子合作開發的製程技術。

65奈米製程SRAM

新款SRAM具備550 MHz的時脈速度，及I/O寬度36-bit總資料傳輸率達80 Gbps的QDRII+元件，所用功耗僅需90奈米SRAM一半。它們適合用在各種網路應用，包括網際網路核心與邊緣路由器、固定式與模組化乙太網路交換器、3G基地台、以及安全路由器，並能提升醫學成像與軍用訊號處理系統的效能。新款元件與90奈米SRAM針腳相容，讓網路產業的顧客在提高產品效能與增加連結埠密度同時，仍可維持相同的機板配置。

相較於先前的90奈米元件，65奈米QDR與DDR SRAM可降低高達60%的輸入與輸出電容。QDRII+與DDRII+元件有內建訊號終端電阻（ODT），可藉由省去外部終端電阻，以提高訊號完整性、降低系統成本、及節省電路板空間。65奈米元件採用鎖相迴路（PLL），而不是延遲鎖相迴路（DLL），可加寬35%的資料驗證窗口，以協助客戶縮短研發時間並降低成本。

65奈米QDRII、QDRII+、DDRII、及DRII+ SRAM產品目前都已可提供樣品，預計2009年第三季開始量產。每款元件均提供多種組態，包括不同的I/O寬度（x18或x36）、不同的突發傳輸周期（B4或B2）、以及不同的延遲（1.5、2.0或2.5）。65奈米72-Mbit SRAM提供標準165 pin的FBGA封裝，並和現有90奈米QDR與DDR元件針腳相容，讓業者能輕易轉移。